巨磁电阻效应

巨磁电阻效应

本文核心词：电阻,存储器,磁头,巨磁电阻效应

金属材料或半金属材料的电阻值在外加磁场的作用下会发生变化，这就是磁电阻效应。目前已经被研究的磁电阻效应大致可以分为以下四种：正常磁电阻（Ordinary MagnetoResistance, OMR）、各向异性磁电阻（Anisotropic MagnetoResistance, AMR）、巨磁电阻及其变体隧穿磁电阻（Tunnel MagnetoResistance, TMR）。其中巨磁电阻效应及其变体应用最为广泛，并已在存储和传感器等领域广泛应用。
1986年，Grunberg等人在Fe/Cr/Fe三层薄膜中发现了两层Fe之间存在间接反铁磁性交换耦合作用，1988年Grunberg进一步发现这种三层膜结构的室温磁电阻可达1.5%，几乎与此同时，Baibich等人在分子束外延法制备出的(Fe/Cr)n超晶格结构中检测到17%的室温磁电阻和50%的低温磁电阻，并将其命名为巨磁电阻效应。巨磁电阻GMR一般定义为：